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(b)在溶液中存在不用物质时，高速光照下Cu2WS4晶体原子模型：高速(i)Na2SO3和(ii)Na2S/Na2SO3.[9]4光电极晶面控制合成方法    暴露不同晶体晶面的光电极可以通过将粉末形式的晶面半导体晶体固定在导电衬底上(即，非原位制备)或者在导电衬底上直接生长具有定制晶面的半导体晶体(原位制备)来制备。在SCR中过多的电荷能够建立一个内建电场并且导致带弯的发生，服务可以促进光生电子——空穴对的分离和传输。

（图2左）在稳态光照射下(图2右)，区甲准费米能级的梯度在半导体表面附近形成一个电场，区甲即光电压或开路电压(VOC)，其作用是作为驱动力将光生空穴注入电解液来进行OER。如图4a所示，天下Pt纳米颗粒只在金红石TiO2的{110}面上被观察到，天下PbO2纳米颗粒主要存在与{011}面，这清晰的说明对于金红石TiO2，{110}和{011}面分别是还原和氧化位点。众所周知，江苏晶体倾向于通过不断降低总表面能来进行生长。

因此，高速暴露在蚀刻剂中的不需要的晶面将被溶解。到目前为止，服务滴铸法、服务旋涂法、电泳沉积法、刮涂法、丝网印刷法、真空过滤转移法、粒子转移法已经发展起来，鉴于本文篇幅有限，小编在此列出一些代表性文章，仅供参考。

因此，区甲具有不同势能面的半导体晶体可能表现出不同的带隙和能带边缘位置，从而导致光生电子-空穴对具有不同的光收集能力和氧化还原能力。

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